Для изготовления инверторных блоков в настоящее время используют две основные технологии - MOSFET и IGBT. Технология IGBT появилась в результате совершенствования и улучшения технологии MOSFET. Термин "IGBT" происходит от названия основного полупроводникового прибора инверторного блока - биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT).
Благодаря особенностям полупроводниковой структуры, обеспечивающей малые потери при больших токах и высоких напряжениях, элементы IGBT могут быть использованы при работе с напряжением более 1000 В, температурой выше 100°С и выходной мощностью, превышающей 5 кВт. Поэтому элементы IGBT идеально подходят для использования в сварочных аппаратах, где происходит коммутация токов высокой мощности, а способность транзисторов IGBT хорошо работать при повышенной температуре позволяет увеличить ПВ сварочного аппарата и делает его эксплуатацию более надежной.
